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重庆三安半导体碳化硅衬底项目

　 日期：2023年11月17日

报建编号 建202312000033出
区县（许可机关） 高新区（规划和自然资源局）
建设项目 重庆三安半导体碳化硅衬底项目
建设单位 重庆三安半导体有限责任公司
文号 建字第500138202300056号
建设规模 140626.7100平方米
建设工程规划许可证办结日期 2023-11-17
项目统一投资代码 2308-500356-04-01-588405
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